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TK10E80W

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/k10e80w/marking.html">K10E80W;Package:TO-220;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.46Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.45mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK10E80W

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多TK10E80W供應商 更新時間2025-7-28 11:00:00