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TK10A50W

絲印：K10A50W；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK10A50W

Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V); Drain current ID 9.7 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V \n;

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK10A50W

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

U10A50

FASTRECTIFIERS(10A,300-600V)

UltraFastRecoveryRectifierDiodes ULTRAFASTRECTIFIERS10AMPERES300--600VOLTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

VRPB-10A50L

NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS12VInput/1.0-5.0VOutput/10A

bel

Bel Fuse Inc.

VRPB-10A50S

NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS12VInput/1.0-5.0VOutput/10A

bel

Bel Fuse Inc.

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    500

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    9.7

  • PD(W)：

    30

  • Ciss(pF)：

    700

  • Qg(nC)：

    20

  • =10V：

    0.38

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name(Toshiba)：

    TO-220SIS

  • Generation：

    DTMOSⅣ

  • Width×Length×Height(mm)：

    10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)：

    150.00

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
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TOSHIBA/東芝
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Toshiba
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TO-220SIS
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TO-220SI
41200
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 詢價(jià)
更多TK10A50W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 18:45:00

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