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TJ20A10M3

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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Swiching Regulator Applications

SwichingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=63m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=50S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?100V) ?Enhancement-model:Vth=?2.0to?4.0V(VDS=?10V,ID=?1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TJ20A10M3

Power MOSFET (P-ch single); Drain current ID -20 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS -100 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞\n

ToshibaToshiba Semiconductor

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更多TJ20A10M3供應商 更新時間2025-7-28 17:55:00

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