TJ11A10M3數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
TJ11A10M3 |
功能描述 | Power MOSFET (P-ch single) |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名稱 | 東芝 株式會(huì)社東芝 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-20 15:07:00 |
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TJ11A10M3規(guī)格書詳情
描述 Description
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:馬來(lái)西亞
特性 Features
Drain current ID -11 A
Power Dissipation PD 24 W
Drain-Source voltage VDSS -100 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技術(shù)參數(shù)
- 型號(hào):
TJ11A10M3
- 制造商:
TOSHIBA
- 制造商全稱:
Toshiba Semiconductor
- 功能描述:
MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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TI |
24+ |
TSSOP |
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