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TJ11A10M3數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

TJ11A10M3

功能描述

Power MOSFET (P-ch single)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-20 15:07:00

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TJ11A10M3規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:馬來(lái)西亞

特性 Features

Drain current ID -11 A
Power Dissipation PD 24 W
Drain-Source voltage VDSS -100 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    TJ11A10M3

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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