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TJ11A10M3中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

TJ11A10M3

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

文件大小

239.01 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-23 18:01:00

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TJ11A10M3規(guī)格書詳情

特性 Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m? (typ.) (VGS = -10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -100 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Applications

? Switching Voltage Regulators

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TJ11A10M3

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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