TJ11A10M3中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
TJ11A10M3 |
| 功能描述 | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? |
| 文件大小 |
239.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 18:35:00 |
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特性 Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m? (typ.) (VGS = -10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -100 V)
(3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
Applications
? Switching Voltage Regulators
產(chǎn)品屬性
- 型號：
TJ11A10M3
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
1822+ |
TO-220SI |
9852 |
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詢價(jià) | ||
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詢價(jià) | ||
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24+ |
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TI |
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19600 |
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詢價(jià) | ||
HTC |
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TO263-5 |
17075 |
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詢價(jià) | ||
TOS |
25+ |
TO-TO-220SIS |
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詢價(jià) | ||
TI |
20+ |
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詢價(jià) | ||
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