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TISP61511D

DUALFORWARD-CONDUCTINGP-GATETHYRISTORSPROGRAMMABLEOVERVOLTAGEPROTECTORS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TISP61511D

DUALFORWARD-CONDUCTINGP-GATETHYRISTORSPROGRAMMABLEOVERVOLTAGEPROTECTORS

description TheTISP61511DandTISP61512Paredualforward-conductingbufferedp-gateovervoltageprotectors.TheyaredesignedtoprotectmonolithicSubscriberLineInterfaceCircuits,SLICs,againstovervoltagesonthetelephonelinecausedbylightning,acpowercontactandinduction.TheTISP

POINN

Power Innovations Ltd

TISP61511D-S

DUALFORWARD-CONDUCTINGP-GATETHYRISTORSPROGRAMMABLEOVERVOLTAGEPROTECTORS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TISP61511DR

  • 功能描述：

    SCR Dual P Gate Forward Conducting

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics 最大轉折電流

  • IBO：

    480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    600 V

  • 關閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    5 uA

  • 開啟狀態(tài)：

    RMS

  • 正向電壓下降：

    1.6 V

  • 柵觸發(fā)電壓(Vgt)：

    1.3 V

  • 最大柵極峰值反向電壓：

    5 V

  • 柵觸發(fā)電流(Igt)：

    35 mA 保持電流（Ih

  • 最大值）：

    75 mA

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TISP61511DR供應商 更新時間2025-7-19 15:30:00

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