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TIP117

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP DARLINGTON TRANSISTOR

Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. Pinning 1=Base 2=Collector 3=Emitter

DCCOM

Dc Components

TIP117

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors

Features ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4.0V,IC=1.0A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?ComplementarytoTIP110/111/112 ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

TIP117

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TIP117

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),＠VCE=-4V,IC=-1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP112.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

TIP117

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS ?Forindustrialuse

SAVANTIC

Savantic, Inc.

TIP117

PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP117

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. NPNcomplementsareTIP110-111-112 CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

TIP117

PLASTIC POWER TRANSISTORS

IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIP117

TRANSISTOR (PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoTIP112

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

TIP117

Silicon Power darlington Complementary transistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TIP117

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 8mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 1A，4V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 2A TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
942
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24+
TO220
3000
原裝原廠代理 可免費(fèi)送樣品
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TO-220
9000
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23+
TO-220
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更多TIP117供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-18 23:00:00

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