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TIP112分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

TIP112
廠商型號

TIP112
參數(shù)屬性

TIP112 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
功能描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

74.82 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 KEC CORPORATION
企業(yè)簡稱

KEC

中文名稱

KEC株式會社官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-7-15 14:24:00
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TIP112規(guī)格書詳情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

? High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), ?VCE=4V, IC=1A.

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

? Complementary to TIP117.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TIP112

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 8mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 1A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
25+
TOP220
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售!
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