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TIP112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TIP112
廠商型號(hào)

TIP112

參數(shù)屬性

TIP112 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

功能描述

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

269.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-11 10:52:00

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TIP112規(guī)格書詳情

TIP112屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TIP112晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.

Features

? High DC Current Gain ?

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 1.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? TIP110, TIP115

= 80 Vdc (Min) ? TIP111, TIP116

= 100 Vdc (Min) ? TIP112, TIP117

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC

= 2.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?in Base?Emitter Shunt Resistors

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TIP112

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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