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TIP101分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

TIP101
廠商型號

TIP101

參數(shù)屬性

TIP101 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

218.99 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-21 23:14:00

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TIP101規(guī)格書詳情

TIP101屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TIP101晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Plastic Medium?Power Complementary Silicon Transistors

Designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.

Features

?High DC Current Gain ?hFE = 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc

?Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 30 mAdc

VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) ? TIP100, TIP105

= 80 Vdc (Min) ? TIP101, TIP106

= 100 Vdc (Min) ? TIP102, TIP107

?Low Collector?Emitter Saturation Voltage ? VCE(sat)= 2.0 Vdc (Max) @ IC

= 3.0 Adc

= 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc

?Monolithic Construction with Built?in Base?Emitter Shunt Resistors

?Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    TIP101

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

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