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TH58BYG2S3HBAI4集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
TH58BYG2S3HBAI4 |
參數(shù)屬性 | TH58BYG2S3HBAI4 封裝/外殼為63-VFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 4GBIT 63TFBGA |
功能描述 | SLC NAND & BENAND Reliability and Performance |
封裝外殼 | 63-VFBGA |
文件大小 |
868 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-4 17:55:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
TH58BYG2S3HBAI4
- 制造商:
Kioxia America, Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 系列:
Benand?
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
FLASH - NAND(SLC)
- 存儲容量:
4Gb(512M x 8)
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-VFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
63-TFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
NA |
9 |
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Toshiba |
24+ |
SMD |
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TOSHIBA |
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10 |
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Kioxia America Inc |
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