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EMB20N03VAT	文件：140.99 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03VL	文件：843.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FQ20N03Q	文件：1.11499 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheFQ20N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
G20N03K	文件：514.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG20N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentR DS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application ? Powerswitch DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
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GE20N03	文件：296.14 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
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