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MTD6508-ADJE/JQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508-ADJESLASHJQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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MTD6508T-ESLASHNA	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
N6508NZ	文件：448.96 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,9.5A,0.85? Description TheN6508NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=0.85?MAX.(VGS=10V,ID=4.75A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2160pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±9	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTE6508	文件：37.57 Kbytes Page：4 Pages	IntegratedCircuitCMOS,1KStaticRAM(SRAM) Description: TheNTE6508isa1024x1fullystaticCMOSRAMina16–LeadDIPtypepackagefabricatedusingself–alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoacheivehighperformanceandlowpoweroperation.Onchiplatchesareprovidedforaddressallowi	NTE NTE Electronics	NTE
NX6508	文件：258.43 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1470TO1610nmFOR2.5Gb/s,CWDM InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6508Seriesisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. Thesedevicesareidealfor2.5Gb/sCWDMapplication. FEATURES ?	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6508	文件：332.22 Kbytes Page：4 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR2.5Gb/s,CWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6508-AZ	文件：332.22 Kbytes Page：4 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR2.5Gb/s,CWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PSUH6508	文件：868.45 Kbytes Page：2 Pages	ThreePhaseACControllerModules	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM

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