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IRFR3607PBF	文件：368.77 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply ighSpeedPowerSwitching ardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR3607PBF	文件：322.95 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3607TRPBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3607	文件：1.44228 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS3607	文件：189.59 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3607	文件：813.55 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelMOSFET Features ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?100EASGuaranteed ?GreenDeviceAvailable ?SuperLowGateCharge Applications ?PowerTools. ?UPS ?SynchronousRectificationinSMPS.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFS3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationin SMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?Hi	IRF International Rectifier	IRF

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