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MJE18004	文件：150.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-BaseBreakdownVoltage- :V(BR)CBO=1000V(Min) ?HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforusein220Vline-operatedswitchmodepower suppliesandelectroniclightballasts	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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