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VBM1105

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBM1105

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?ThunderFET?powerMOSFET ?Maximum175°Cjunctiontemperature ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBM1105S

N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET

APPLICATIONS IsolatedDC/DCConverters FEATURES ?SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET ?ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) ?Verylowon-resfistanceRds(on) ?100RgandUISTested ?

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TCET1105G

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-150%

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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DIP SOP4
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更多TCET1105G供應商 更新時間2025-7-28 11:04:00

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