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TC58NYG2S0HBAI6數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
TC58NYG2S0HBAI6 |
| 參數(shù)屬性 | TC58NYG2S0HBAI6 封裝/外殼為67-VFBGA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA |
| 功能描述 | SLC NAND |
| 封裝外殼 | 67-VFBGA |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名稱 | 東芝 株式會(huì)社東芝 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 11:58:00 |
| 人工找貨 | TC58NYG2S0HBAI6價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
TC58NYG2S0HBAI6規(guī)格書詳情
描述 Description
Capacity (bit)：4G
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(4096+256)×8
Block size (bit)：(256K+16K)×8
I/O (bit)：8
Keyword：4Gbit SLC NAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：TC58NYG2S0HBAI6
- 生產(chǎn)廠家
：Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
：25 nsec
- Operational Temperature
：-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
：1.7 to 1.95 V
- Block Erasing Time (Typ.)
：3.5 msec
- Program Time (Typ.)
：0.3 msec
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
NA/ |
21700 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA |
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BGA |
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Kioxia |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價(jià) |
