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TC58BYG0S3HBAI6_集成電路（IC） 存儲器-Kioxia America, Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    TC58BYG0S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數量：

    27

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    67-VFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-7-16 8:01:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：TC58BYG0S3HBAI6品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

TC58BYG0S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產封裝67-VFBGA的TC58BYG0S3HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    tc58byg0s3hbai6

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    TC58BYG0S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Benand?

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
24+
FBGA
480
原裝現貨假一罰十
 詢價
Toshiba
21+
FBGA
1
價格以詢價為主,東芝代理官網可查
 詢價
TOSHIBA
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43143
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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TOSHIBA/東芝
2021+
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原裝現貨。
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FBGA
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原裝正品 可含稅交易
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