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首頁(yè)>TC58BVG1S3HBAI6>芯片詳情

TC58BVG1S3HBAI6 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    TC58BVG1S3HBAI6

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    480

  • 產(chǎn)品封裝：

    FBGA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-29 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：TC58BVG1S3HBAI6品牌：TOSHIBA

原裝現(xiàn)貨假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    TC58BVG1S3HBAI6

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    KIOXIA【鎧俠】詳情

  • 廠商全稱：

    KIOXIA Corporation

  • 中文名稱：

    鎧俠株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    53 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1623.2 kb

  • 資料說(shuō)明：

    MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TC58BVG1S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    Benand?

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市弘為電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    藍(lán)先生

  • 手機(jī)：

    13824584784/13378669343

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23942419

  • 傳真：

    0755-82780053

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北鼎城國(guó)際2011

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