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TBR15M100HT

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/f15m10/marking.html">F15M10；Package：TO-277B；Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FUTUREWAFER

FutureWafer Tech Co.,Ltd

TBR15M100HT

Trench MOS Barrier Schottky;

FutureWaferFutureWafer Tech Co.,Ltd

未來(lái)芯

NEV15M100

ALUMINUMELECTROLYTIC6.3Vto100V

NTE

NTE Electronics

技術(shù)參數(shù)

  • Continuous Forward Current：

    15 A

  • Diode Forward Voltage：

    0.71 V

  • Reverse Current：

    100 uA

  • Peak Surge Current：

    220 A

  • Operating Temperature：

    -55to 150

  • ESD Level：

    8 KV

  • Package：

    TO277-B

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TBR15M100HT供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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