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TBC857B,LM 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 TOSHIBA/東芝
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
TBC857B,LM
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
650mV @ 100mA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
30nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
210 @ 2mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
80MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
供應商
相近型號
- TBC857
- TBC858A
- TBC856-B\3B
- TBC858A/3J
- TBC858B
- TBC856-B
- TBC858-B
- TBC856B
- TBC858C
- TBC856A\3A
- TBC858-C
- TBC856-A
- TBC858-C/M
- TBC856
- TBC858-C\M
- TBC849C
- TBC858CW
- TBC849B
- TBC859
- TBC848CTE85L
- TBCB30
- TBC848CT5LM
- TB-CBP-1000F+
- TB-CBP-1023A+
- TBC848C(1L)
- TB-CBP-1034C+
- TBC848-C
- TB-CBP-1060Q+
- TBC848C
- TB-CBP-1062C+
- TBC848-B
- TB-CBP-1090C+
- TBC848B
- TB-CBP-1120F+
- TBC848A
- TB-CBP-1170C+
- TBC848
- TB-CBP-1183A+
- TB-CBP-1228C+
- TBC847C
- TB-CBP-1250C+
- TB-CBP-1260C+
- TBC847BPN
- TB-CBP-1280C+
- TBC847BLM
- TB-CBP-1280F+
- TBC847B,LM(T
- TB-CBP-1300A+
- TBC847B,LM(B
- TB-CBP-1307C+