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SWI1N60中文資料芯派科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SWI1N60
廠商型號(hào)

SWI1N60

功能描述

N-channel MOSFET

文件大小

737.75 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

SEMIPOWER

中文名稱

芯派科技

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 8:26:00

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SWI1N60規(guī)格書詳情

General Description

This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high efficient DC to DC converter block and switch mode power supply.

特性 Features

■ High ruggedness

■ RDS(ON) (Max 12 ?)@VGS=10V

■ Gate Charge (Max 6nC)

■ Improved dv/dt Capability

■ 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SWI1N60

  • 制造商:

    SEMIPOWER

  • 制造商全稱:

    SEMIPOWER

  • 功能描述:

    N-channel MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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