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SW730中文資料etc未分類制造商數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SW730
廠商型號(hào)

SW730

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

518.4 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ETC1 List of Unclassifed Manufacturers

中文名稱

etc未分類制造商 未分類制造商

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-4 20:00:00

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SW730規(guī)格書詳情

[SEMIPOWER]

General Description

This power MOSFET is produced in CHMC with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for half bridge or full bridge resonant topology like a electronic ballast, and also low power switching mode power appliances.

特性 Features

● N-Channel MOSFET

● BVDSS (Minimum) : 400 V

● RDS(ON) (Maximum) : 1.0 ohm

● ID : 6.0 A

● Qg (Typical) : 32 nc

● PD(@TC=25 ) : 73 W

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SW730

  • 功能描述:

    N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SW
24+
NA/
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