首頁(yè)>SVSP14N65FJDD2>規(guī)格書詳情
SVSP14N65FJDD2中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SVSP14N65FJDD2 |
| 功能描述 | 14A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-220FJD-3L |
| 文件大小 |
308.02 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | SILAN |
| 中文名稱 | 士蘭微 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 13:53:00 |
| 人工找貨 | SVSP14N65FJDD2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SVSP14N65FJDD2規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
SVSP14N65FJD/T/KD2 is an N-channel enhancement mode high
voltage power MOSFETs produced using Silan’s DPMOS technology.
It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the
design engineers to their power converters with high efficiency, high
power density, and superior thermal behavior. Furthermore, it’s
universal applicable, i.e., suitable for hard and soft switching
topologies.
FEATURES
? 14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26?@VGS=10V
? New revolutionary high voltage technology
? Ultra low gate charge
? Periodic avalanche rated
? Extreme dv/dt rated
? High peak current capability
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
25+ |
QFP48 |
996880 |
只做原裝,歡迎來(lái)電資詢 |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
71 |
詢價(jià) | |||
SILAN/士蘭微 |
25+ |
DFN |
10000 |
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
BGA |
40 |
詢價(jià) | |||||
Silan |
23+ |
TO-247 |
2795 |
現(xiàn)貨庫(kù)存,實(shí)單請(qǐng)給接受價(jià)格 |
詢價(jià) | ||
SILAN |
22+ |
PDFN8 |
621 |
原裝 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
58000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
SILAN/士蘭微 |
21+ |
TO220 |
38000 |
詢價(jià) | |||
SAMSUNG |
25+ |
QFP |
6500 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
SILAN(士蘭微) |
23+ |
TO-220FJD-3L |
431 |
三極管/MOS管/晶體管 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) |
詢價(jià) |
