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SVF7N65RMJ數(shù)據(jù)手冊Silan中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SVF7N65RMJ

功能描述

平面高壓MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名稱

士蘭微 杭州士蘭微電子股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 16:12:00

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SVF7N65RMJ規(guī)格書詳情

描述 Description

SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T) N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。

該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動。

特性 Features

? 7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.2Ω@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開關(guān)速度快
? 提升了dv/dt 能力

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SVF7N65RMJ

  • 生產(chǎn)廠家

    :Silan

  • Status

    :Sample

  • Type

    :N

  • Process

    :F-cell

  • Configuration

    :Single

  • Popular Application

    :High Voltage

  • ESD Diode

    :NO

  • Schottky Diode

    :NO

  • Schottky Type

    :NO

  • Package

    :TO-251J-3L

  • VGS

    :30

  • ID @25℃

    :2~4

  • PD @25℃

    :7

  • RDS[ON]@VGS=10v

    :90

  • VGS[th]

    :1.40

  • Ciss

    :895.00

  • Crss

    :7.50

  • Qg

    :24.00

  • Qgd

    :11.00

  • Td[on]

    :14.00

  • Td[off]

    :58.00

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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