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SVD640STR中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SVD640STR
廠商型號(hào)

SVD640STR

功能描述

18A, 200V N-CHANNEL MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

SVD640S

封裝外殼

TO-263-2L

文件大小

368.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-17 22:59:00

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SVD640STR規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

SVD640T/D/S is an N-channel enhancement mode power MOS field

effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM

structure VDMOS technology. The improved process and cell structure

have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance, and withstand high energy pulse in

the avalanche and commutation mode.

These devices are widely used in AC-DC power supplies, DC-DC

converters and H-bridge PWM motor drivers.

FEATURES

? 18A,200V,RDS(on)(typ.)=0.12?@VGS=10V

? Low gate charge

? Low Crss

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AUK
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士蘭微
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