零件型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
SUF2001 | HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 2.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:2.0A FEATURE Lowpowerloss Highsurgecapability Ultrafastrecoverytimeforhighefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension | GULFSEMIGulf Semiconductor 海灣電子海灣電子(山東)有限公司 | GULFSEMI | |
SUF2001 | 30V Dual N-and P-channel Trench MSFET Features ?LowVGS(th):VGS(th)=1.0~3.0V ?Smallfootprintduetosmallpackage ?LowRGDS(on):N-ch,RDS(on)=24m?(@VGS=10V,ID=2.9A) P-ch,RDS(on)=66m?(@VGS=-10V,ID=-2.7A) | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán) | KODENSHI | |
SUF2001 | P-Channel MOSFET uses advanced trench technology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司 | DOINGTER | |
SUF2001 | Low Voltage Trench MOSFETs; | Kodenshi-AUK AUK corp | Kodenshi-AUK | |
SUF2001 | Dual N and P-channel Trench MOSFET | AUK AUK corp | AUK |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration:
Dual
- Polarity:
N \\u0026 P-Ch
- VDSS (V):
30/-30
- ID (A):
5.8/-5.3
- PD (W):
2.0
- RDS(on)Max. (?)atVGS=10V:
0.03
- Qg Typ.(nC)atVGS=10V:
4.2
- Ciss Typ.(pF):
370
- VGS(th)@ID=250uA_Min. (V):
1
- VGS(th)@ID=250uA_Max. (V):
3
- Features:
Trench MOSFET
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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SYFOREVER |
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