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SUF2001

HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 2.0A

VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:2.0A FEATURE Lowpowerloss Highsurgecapability Ultrafastrecoverytimeforhighefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension

GULFSEMIGulf Semiconductor

海灣電子海灣電子(山東)有限公司

SUF2001

30V Dual N-and P-channel Trench MSFET

Features ?LowVGS(th):VGS(th)=1.0~3.0V ?Smallfootprintduetosmallpackage ?LowRGDS(on):N-ch,RDS(on)=24m?(@VGS=10V,ID=2.9A) P-ch,RDS(on)=66m?(@VGS=-10V,ID=-2.7A)

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

SUF2001

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SUF2001

Low Voltage Trench MOSFETs;

Kodenshi-AUK

AUK corp

SUF2001

Dual N and P-channel Trench MOSFET

AUK

AUK corp

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    N \\u0026 P-Ch

  • VDSS (V):

    30/-30

  • ID (A):

    5.8/-5.3

  • PD (W):

    2.0

  • RDS(on)Max. (?)atVGS=10V:

    0.03

  • Qg Typ.(nC)atVGS=10V:

    4.2

  • Ciss Typ.(pF):

    370

  • VGS(th)@ID=250uA_Min. (V):

    1

  • VGS(th)@ID=250uA_Max. (V):

    3

  • Features:

    Trench MOSFET

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多SUF2001供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 19:27:00