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SUD45P03-09-GE3 | P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=-30V,ID=-100A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | |
SUD45P03-09-GE3 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
SUD45P03-09-GE3
- 功能描述:
MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
TrenchFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
1501+ |
TO-252 |
10 |
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原裝 |
25+ |
TO-252 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
TO-252 |
9203 |
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VISHAY |
2024+ |
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2025+ |
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國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量 |
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SOT-252 |
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
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全新原裝 貨期兩周 |
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