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STWA65N65DM2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STWA65N65DM2AG
廠商型號(hào)

STWA65N65DM2AG

功能描述

Automotive-grade N-channel 650 V, 42 m typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package

文件大小

324.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 13:20:00

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STWA65N65DM2AG規(guī)格書詳情

特性 Features

? AEC-Q101 qualified

? Fast-recovery body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Low on-resistance

? 100 avalanche tested

? Extremely high dv/dt ruggedness

? Zener-protected

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery

diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined

with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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TO-247-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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只有原裝,原裝,假一罰十
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