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STW69N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW69N65M5
廠商型號(hào)

STW69N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.037 廓 typ., 58 A MDmesh??V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages

文件大小

672.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00

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STW69N65M5規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

特性 Features

■ Worldwide best RDS(on) * area

■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ 100 avalanche tested

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW69N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh V MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
24+
NA/
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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