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STW65N60DM6

N溝道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封裝; ? Fast-recovery body diode \n? Lower RDS(on) per area vs previous generation \n? Low gate charge, input capacitance and resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

These high-voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n\n

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW65N60DM6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65n60dm6/marking.html">65N60DM6；Package：TO-247；N-channel 600 V, 60 m廓 typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in a TO??47 and TO??47 long leads packages

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW65N60DM6

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 600V 38A TO247

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STWA65N60DM6

N-channel600V,60m廓typ.,46AMDmeshDM6PowerMOSFETsinaTO??47andTO??47longleadspackages

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STW72N60DM2AG

ST
TO-247

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相關(guān)企業(yè)：深圳深宇韜電子科技有限公司

ST

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STW65N60DM6

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    MDmesh? DM6

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    38A（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 600V 38A TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STW65N60DM6供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:01:00

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