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STW56N60DM2

N溝道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封裝; ? Fast-recovery body diode \n? Extremely low gate charge and input capacitance \n? Low on-resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STW56N60DM2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/56n60dm2/marking.html">56N60DM2；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.052 廓 typ., 50 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-247

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.06

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    50

  • PTOT_max(W)：

    360

  • Qg_typ(nC)：

    90

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    140

  • Qrr_typ(nC)：

    700

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    10.6

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更多STW56N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 8:10:00

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