首頁>STW55NM60ND>規(guī)格書詳情
STW55NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STW55NM60ND規(guī)格書詳情
描述 Description
This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
■ The worldwide best RDS(on) amongst the fast
recovery diode devices in TO-247
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ High dv/dt and avalanche capabilities
Application
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STW55NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V FDMesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實單 |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-247 |
32000 |
ST/意法全新特價STW55NM60ND即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì) |
詢價 | ||
ST |
10+/09+ |
TO247 |
43 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-247-3 |
8772 |
只做原裝現(xiàn)貨假一罰十!價格最低!只賣原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-247 |
10000 |
詢價 | |||
ST(意法) |
24+ |
TO-247-3 |
21073 |
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價 | ||
STMicroelectronics Asia Pacifi |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-247 |
5000 |
優(yōu)勢供應 實單必成 可開增值稅13點 |
詢價 |
