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STW45N60DM6

N溝道600 V、0.085 Ohm典型值、30 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封裝; ? Fast-recovery body diode \n? Lower RDS(on) per area vs previous generation \n? Low gate charge, input capacitance and resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

These high-voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW45N60DM6

絲印：45N60DM6；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.085 廓 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL45N60DM6

N-channel600V,0.094廓typ.,25A,MDmeshDM6PowerMOSFETinaPowerFLAT8x8HVpackage

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STP45N60DM6

N-channel600V,0.085廓typ.,30AMDmeshDM6PowerMOSFETsinTO-220andTO-247packages

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技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-247

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.099

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    30

  • PTOT_max(W)：

    210

  • Qg_typ(nC)：

    44

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    105

  • Qrr_typ(nC)：

    480

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    9.3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-247-3
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更多STW45N60DM6供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:10:00

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