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STW19NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW19NM60N
廠商型號(hào)

STW19NM60N

功能描述

Automotive-grade N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in a TO-247 package

絲印標(biāo)識(shí)

19NM60N

封裝外殼

TO-24

文件大小

1.02699 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 20:00:00

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STW19NM60N規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the second generation of

MDmesh? technology. This revolutionary Power

MOSFET associates a vertical structure to the

company’s strip layout to yield one of the world’s

lowest on-resistance and gate charge. It is

therefore suitable for the most demanding high

efficiency converters.

特性 Features

? Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

? 100 avalanche tested

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW19NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    600 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    13 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.26 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
24+
NA/
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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ST/意法半導(dǎo)體
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