STW11NM80中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STW11NM80規(guī)格書詳情
描述 Description
The MDmesh? associates the multiple drain process with the company’s PowerMesh? horizontal layout assuring an outstanding low on resistance. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Best RDS(on)*Qg in the industry
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STW11NM80
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
11+ |
TO-247 |
259 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
81 |
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詢價 | ||
ST(意法半導體) |
2024+ |
TO-247-3 |
500000 |
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詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST |
23+ |
NA |
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詢價 | ||
ST/意法 |
12+ |
TO-247 |
9 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
原廠原封 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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