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STF11NM60ND

N-channel600V,0.37廓,10A,FDmesh??IIPowerMOSFETI2PAK,TO-220,TO-220FP,IPAK,DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STF11NM60ND

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STI11NM60ND

N-channel600V-0.37廓-10A-FDmesh??IIPowerMOSFETI2PAK,TO-220,TO-220FP,IPAK,DPAK

Description ThedeviceisanN-channelFDmesh?IIPowerMOSFETthatbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STI11NM60ND

N-channel600V,0.37廓,10A,FDmesh??IIPowerMOSFETI2PAK,TO-220,TO-220FP,IPAK,DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STI11NM60ND

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ?DrainCurrent–ID=6.3A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Switchinga

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP11NM60

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP11NM60

N-channel650VTJmax-0.4OHM-11ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP11NM60

N-CHANNEL600V-0.4ohm-11ATO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKMDmesh??owerMOSFET

Description TheMDmesh?isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH?horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoption

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP11NM60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STP11NM60A

N-CHANNEL600V-0.4ohm-11ATO-220/TO-220FP/I2PAKMDmesh??owerMOSFET

DESCRIPTION TheMDmesh?isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH?horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dt.TheadoptionoftheCompany’sproprietarystriptechniq

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數

  • 型號：

    STU11NM60ND

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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NA
3000
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ST
22+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原廠渠道,現貨配單
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ST/意法
23+
IPAKTO-251
11200
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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STMicroelectronics
2022+
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251A
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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24+
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更多STU11NM60ND供應商 更新時間2025-7-28 10:13:00

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