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STS5P3LLH6中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STS5P3LLH6
廠商型號

STS5P3LLH6

功能描述

P-channel 30 V, 0.048 ??typ., 5 A STripFET??H6 DeepGATE??Power MOSFET in an SO-8 package

絲印標識

5K3L

封裝外殼

SO-8

文件大小

538.34 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-4 16:31:00

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STS5P3LLH6規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET? H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

特性 Features

? Very low on-resistance RDS(on)

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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