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STS01DTP06分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STS01DTP06 |
| 參數(shù)屬性 | STS01DTP06 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列；產(chǎn)品描述：TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO |
| 功能描述 | DUAL NPN-PNP COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
298.83 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 16:26:00 |
| 人工找貨 | STS01DTP06價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STS01DTP06規(guī)格書詳情
STS01DTP06屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STS01DTP06晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個(gè)或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補(bǔ)的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過(guò)程中的溫差。
DESCRIPTION
The STS01DTP06 is a Hybrid dual NPN-PNP complementary power bipolar transistor manufactured by using the latest low voltage planar technology. The STS01DTP06 is housed in dual island SO-8 package with separated terminals for higher assembly flexibility, specifically recommended to be used in Push-Pull or Totem Pole configuration as post IGBTs and MOSFETs driver.
General Features
■ HIGH GAIN
■ LOW VCE(sat)
■ SIMPLIFIED CIRCUIT DESIGN
■ REDUCED COMPONENT COUNT
APPLICATION
■ PUSH-PULL OR TOTEM-POLE CONFIGURATION
■ MOSFET AND IGBT GATE DRIVING
■ MOTOR, RELAY AND SOLENOID DRIVING
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STS01DTP06
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN，PNP
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
3A
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
30V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
700mV @ 100mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，2V
- 功率 - 最大值：
2W
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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