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STRH8N10數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號

STRH8N10

功能描述

抗輻照N溝道100V - 6A MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 22:58:00

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STRH8N10規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-channel Power MOSFET is developed with STMicroelectronics unique STripFET?process. It has specifically been designed to sustain high TID and provide immunity to heavy ion effects.

This Power MOSFET is fully ESCC qualified.

特性 Features

? Fast switching
? 100% avalanche tested
? Hermetic package
? 50 krad TID
? SEE radiation hardened

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :STRH8N10

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Radiation Level

    :50 krad (Si) - SEE hardened

  • Agency Qualification

    :ESCC

  • Agency Generic Spec

    :5205/023

  • Hi-Rel Package

    :SMD.5

  • Transistor Polarity

    :N-Channel

  • VDSS_max(V)

    :100

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :6

  • RDS(on)_max(Ω)

    :0.3

  • Temperature range

    :-55 to 150 C

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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