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STQ2HNK60ZR-AP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STQ2HNK60ZR-AP
廠商型號(hào)

STQ2HNK60ZR-AP

功能描述

N-channel 600V - 4.4廓 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件大小

497.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 23:01:00

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STQ2HNK60ZR-AP規(guī)格書詳情

描述 Description

The SuperMESH? series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding application.

Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh? products.

General features

■ Gate charge minimized

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ ESD improved capability

■ New high voltage benchmark

Applications

■ Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STQ2HNK60ZR-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SuperMESH™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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