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STQ1NK60ZR-AP

N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET

Description ThisdeviceisaN-channelSuperMESH?thatisobtainedthroughanoptimizationofSTMicroelectronics’well-establishedstrip-basedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingonresistancesignificantlylower,italsoensuresverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplicati

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STQ1NK60ZR-AP

N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

STQ1NK60ZR-AP

N-channel 600V - 13廓 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STQ1NK60ZR-AP_07

N-channel 600V - 13廓 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

1NK60Z

N-CHANNEL600V13OHM0.8ATO-92/IPAK/SOT-223Zener-ProtectedSuperMESHMOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

D1NK60

12W5VSMPSevaluationboardwithICE3AR4780VJZ

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

D1NK60

N-CHANNEL600V-8-ohm-1ADPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH-TMMOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH?seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchser

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

D1NK60

SuperFastRecoveryDiode

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

Q1NK60ZR

N-CHANNEL600V13OHM0.8ATO-92/IPAK/SOT-223Zener-ProtectedSuperMESHMOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

S1NK60Z

N-CHANNEL600V-13W-0.25A-SO-8Zener-ProtectedSuperMESH??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數

  • 型號：

    STQ1NK60ZR-AP

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    SuperMESH™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法
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更多STQ1NK60ZR-AP供應商 更新時間2025-7-22 20:25:00

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