STPSC8065分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STPSC8065 |
| 參數(shù)屬性 | STPSC8065 封裝/外殼為TO-220-2；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC |
| 功能描述 | 650 V power Schottky silicon carbide diode |
| 封裝外殼 | TO-220-2 |
| 文件大小 |
503.37 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 12:00:00 |
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STPSC8065規(guī)格書詳情
STPSC8065屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STPSC8065二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動，并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨列在各自的產(chǎn)品系列中，每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。
特性 Features
?No or negligible reverse recovery
?Switching behavior independent oftemperature
?Dedicated to PFC applications
?High forward surge capability
?Operating Tj from -40 °C to 175 °C
?ECOPACK?2 compliant component
描述 Description
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STPSC8065DY
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, ECOPACK?2
- 包裝：
管件
- 二極管類型：
碳化硅肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
- 不同?Vr、F 時電容：
540pF @ 0V，1MHz
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AC
- 工作溫度 - 結(jié)：
-40°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
2511 |
TO-220AC-2 |
16900 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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