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STPSC10065G2-TR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

STPSC10065G2-TR
廠商型號

STPSC10065G2-TR

參數(shù)屬性

STPSC10065G2-TR 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:650 V POWER SCHOTTKY SILICON CAR

功能描述

650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode
650 V POWER SCHOTTKY SILICON CAR

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

395.95 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 16:51:00

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STPSC10065G2-TR價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

STPSC10065G2-TR規(guī)格書詳情

STPSC10065G2-TR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STPSC10065G2-TR二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

特性 Features

? No or negligible reverse recovery

? Switching behavior independent of temperature

? Dedicated to PFC applications

? High forward surge capability

? Operating Tj from -40 °C to 175 °C

? D2PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.

? ECOPACK2 compliant component

描述 Description

This 10 A, 650 V SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is

manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows

the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky

construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The

minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Housed in D2PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in

charging station, DC/DC, easing the compliance to IEC-60664-1.

Applications

? DC/DC converter

? High frequency inverter

? Snubber

? Boost PFC function

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STPSC10065G2-TR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    ECOPACK?2

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型:

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時電容:

    670pF @ 0V,1MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 175°C

  • 描述:

    650 V POWER SCHOTTKY SILICON CAR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2016+
TO-220
2980
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
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ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-263-3
30000
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
8080
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ST(意法半導(dǎo)體)
24+
D2PAK
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ST/意法
22+
TO-263
11500
原裝正品支持實單
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STMICROELECTRONICS
23+
NA
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ST
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ST/意法半導(dǎo)體
2023+
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ST
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