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STP8N120K5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP8N120K5
廠商型號

STP8N120K5

功能描述

N-channel 1200 V, 1.65 Ω typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

絲印標(biāo)識

8N120K5

封裝外殼

TO-220

文件大小

278.42 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 19:01:00

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STP8N120K5規(guī)格書詳情

特性 Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best FoM (figure of merit)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh? K5

technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a

dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications

requiring superior power density and high efficiency.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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