STP77N6F6數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STP77N6F6規(guī)格書詳情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
R
DS(on)* Q
gindustry benchmark
Extremely low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
Very low switching gate charge
技術參數(shù)
- 型號：
STP77N6F6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST |
1822+ |
TO-220 |
9852 |
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詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO220 |
45993 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
2019 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
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詢價 | ||
ST |
23+ |
TO220 |
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詢價 | ||
ST |
1746+ |
TO-220 |
25 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO220 |
45993 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO220 |
45993 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 |
