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STP410N4F7AG分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STP410N4F7AG
廠商型號

STP410N4F7AG

參數(shù)屬性

STP410N4F7AG 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

功能描述

Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 m typ., 180 A STripFETTM F7 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

675.43 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 11:10:00

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STP410N4F7AG規(guī)格書詳情

STP410N4F7AG屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產的STP410N4F7AG晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

? Among the lowest RDS(on) on the market

? Excellent FoM (figure of merit)

? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

? High avalanche ruggedness

描述 Description

This N-channel Power MOSFET utilizes

STripFET? F7 technology with an enhanced

trench gate structure that results in very low onstate

resistance, while also reducing internal

capacitance and gate charge for faster and more

efficient switching.

Applications

? Switching applications

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STP410N4F7AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    STripFET? F7

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術:

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    180A(Tc)

  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 功率耗散(最大值):

    365W(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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