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STP31N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STP31N65M5
廠商型號(hào)

STP31N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packages

文件大小

1.66434 Mbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-31 23:01:00

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STP31N65M5規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

特性 Features

? Worldwide best RDS(on) * area

? Higher VDSS rating and high dv/dt capability

? Excellent switching performance

? 100 avalanche tested

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STP31N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
24+
NA/
4000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
ST全系列
25+23+
TO-220
26628
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詢價(jià)
三年內(nèi)
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TO220
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-220-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
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ST(意法半導(dǎo)體)
24+
TO-220
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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ST/意法
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ST/意法半導(dǎo)體
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詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-220-3
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詢價(jià)