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STP20N60M2-EP分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STP20N60M2-EP
廠商型號

STP20N60M2-EP

參數(shù)屬性

STP20N60M2-EP 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

功能描述

N-channel 600 V, 0.230 typ., 13 A MDmesh? M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

276.09 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 8:24:00

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STP20N60M2-EP規(guī)格書詳情

STP20N60M2-EP屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STP20N60M2-EP晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Extremely low gate charge

? Excellent output capacitance (COSS) profile

? Very low turn-off switching losses

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh?

M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an

improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching

characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the

most demanding very high frequency converters.

Applications

? Switching applications

? Tailored for very high frequency converters (f > 150 kHz)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STP20N60M2-EP

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    MDmesh? M2-EP

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    13A(Tc)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 功率耗散(最大值):

    110W(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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