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STP180N10F3中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
STP180N10F3 |
功能描述 | N-channel 100 V, 4.0 m廓, 120 A STripFET??Power MOSFET D2PAK, TO-220 |
文件大小 |
256.14 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱(chēng) | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-17 20:27:00 |
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STP180N10F3規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
This n-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process with less critical alignment steps and therefore a remarkable manufacturing reproducibility. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
■ Ultra low on-resistance
■ 100 avalanche tested
Application
■ High current switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
STP180N10F3
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
26122 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
40 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
15+ |
TO-220 |
775 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
12500 |
原裝現(xiàn)貨熱賣(mài) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST原裝現(xiàn)貨 |
24+ |
TO-220 |
23000 |
市場(chǎng)最低 原裝現(xiàn)貨 假一罰百 可開(kāi)原型號(hào) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原裝,可來(lái)電咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) |